Описание продуктов
Характеристики целевого ванадия
Форма целевого ванадия: плоская круглая цель, плоская квадратная цель, вращающаяся цель, специальная настройка
Чистота ванадий -мишени: 99%, 99,9%
Размеры целевого цвета ванадия: обработано в соответствии с требованиями клиента
Процесс приготовления целевого ванадия
1. Разрежьте слитки ванадия, которые соответствуют требованиям к чистоте и целеустремленному размеру, используя горизонтальную машину для пиления. Сначала предварительно разогреть в 450-500 степень, затем кузница и контролируйте общую скорость деформации по коровьству до 70-80%;
2. Отжиг ванадийский слиток, полученный путем кости, температура отжига составляет 400-500 степень, время удержания составляет 60-120 мин, а затем охладите его путем воздушного охлаждения;
3. КОНТИВАТЬ ВАНАДИЙС, полученный отжигом, и контролируйте количество нажатия каждого прохода в 0.
4. Отжиг целевой запуск ванадий, полученный путем повторного перекачивания, температура отжига составляет 450-550 степень, время удержания составляет 90-150 мин, а после отжига выполняется водный охлаждение после отжига, чтобы получить необходимую целевую цель с высокой чистостью.
Применение целевых ванадий
1.semiconductor и интегрированное производство цепи
Используется для отложения барьерных слоев для защиты материалов нижнего слоя от диффузии материалов верхнего слоя, тем самым повышая надежность и производительность устройства
2. Состальные клетки
В солнечных тонкопленочных клетках ванадиевые мишени используются для приготовления эффективных слоев поглощения света для повышения эффективности фотоэлектрической конверсии клеток.
3. Дисплей с панелью
Используется для изготовления покрытий дисплея с плоской панелью для улучшения эффектов дисплея и долговечности.
4. Электроника и полупроводниковые поля
В электронных устройствах целевые показатели ванадие могут использоваться для отложения металлических пленок с высокой точностью для повышения проводимости и стабильности электронных устройств.
Используется в полях солнечной энергии, дисплеев плоской панели, электроники и полупроводников, таких как интегрированные схемы, металлизация задней планы, оптоэлектроника и другие применения.
